記者蔡曉容／綜合報導

隨著三星電子宣布逐步退出DDR4（第四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體）與LPDDR4等記憶體市場，並全面轉向DDR5與高頻寬記憶體（HBM）等高階產品，全球DRAM（動態隨機存取記憶體）產業結構出現明顯變化。此舉不僅加速成熟製程供給收縮，也讓中國記憶體廠商趁勢卡位，試圖重塑市場版圖。

三星電子宣布逐步退出DDR4與LPDDR4等記憶體市場，也讓中國記憶體廠商趁勢卡位，試圖重塑市場版圖。（示意圖／Unsplash）

據外電與市場消息指出，三星已通知客戶停止接受LPDDR4與LPDDR4X新訂單，僅履行既有合約，象徵正式淡出舊世代行動記憶體市場。法人分析，這與國際DRAM大廠逐步退出成熟製程的長期策略一致，未來資源將集中於先進製程與AI相關應用記憶體。不過，新產能大幅開出時間點預估落在2027年下半年，短期內DDR4與LPDDR4仍將維持供不應求格局。

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在需求面方面，儘管DDR4產品已量產近十年，但目前仍廣泛應用於中低階智慧手機與多數主流裝置，包括部分SoC（單晶片系統）平台仍高度依賴該規格。受供給收縮影響，第二季DDR4市場持續呈現吃緊狀態，合約價格仍維持上漲趨勢，但因基期墊高，漲幅收斂至約50%至60%；另一方面，現貨市場則因先前中國通路炒作因素逐步修正，加上預期明年產能翻倍，價格將轉為下跌。

供給缺口也吸引中國廠商積極布局。中國DRAM製造商長鑫存儲，已承接來自中國無晶圓廠半導體公司兆易創新高達8.25億美元（約259.64億台幣）的採購訂單，將較去年採購額1.73億美元，成長近6倍。雙方分工由長鑫負責製造、兆易創新主攻設計與銷售，顯示中國正加速建立自有DRAM供應鏈體系，並擴展至DDR3、DDR4及LPDDR4等產品線，提升在成熟製程市場的自主能力。

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